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存儲(chǔ)價(jià)格現(xiàn)波動(dòng) 全球存儲(chǔ)廠商2月迎接新挑戰(zhàn)

  • 1月最后一個(gè)交易日存儲(chǔ)價(jià)格突然受到AI需求可能緊縮的影響出現(xiàn)暴跌,雖然這波行情可能屬于短期震蕩,但這還是為很多存儲(chǔ)廠商亮麗的年報(bào)蒙上一層陰影
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重組Solidigm,SK 海力士計(jì)劃建美國(guó)AI投資平臺(tái)

  • SK 海力士正在美國(guó)設(shè)立 AI Co. 以擴(kuò)大其在美業(yè)務(wù)。
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消息稱(chēng)SK海力士已拿下英偉達(dá)三分之二HBM4訂單

  • 1 月 28 日消息,據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,在今年圍繞下一代高帶寬內(nèi)存(HBM)HBM4 供應(yīng)的競(jìng)爭(zhēng)讓半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)升溫之際,業(yè)內(nèi)消息稱(chēng),SK 海力士已拿下最大客戶(hù)英偉達(dá)超過(guò)三分之二的訂單量。消息稱(chēng)英偉達(dá)今年用于下一代 AI 平臺(tái)“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中,約三分之二已分配給 SK 海力士,拿下了接近整體 70% 的供貨份額。這一數(shù)據(jù)相比此前市場(chǎng)預(yù)計(jì) SK 海力士將供應(yīng)英偉達(dá) 50% 以上 HBM4 的水平,明顯有所提升。去年年底,市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Counterpoint 預(yù)測(cè),今年全球 HBM
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OpenAI攜手AMD和三星設(shè)定新路線,試圖打破NVIDIA和SK AI芯片壟斷

  • - ChatGPT 開(kāi)發(fā)商 OpenAI 將于 2026 年推出- AMD 正式宣布大規(guī)模采用下一代 AI 芯片。- 郭明錤:“三星將為 MI450 提供 HBM4。- NVIDIA 和 SK 海力士聯(lián)盟面臨挑戰(zhàn)主導(dǎo)人工智能(AI)半導(dǎo)體市場(chǎng)的 NVIDIA 大本營(yíng)出現(xiàn)了裂縫。開(kāi)創(chuàng)AI時(shí)代的ChatGPT開(kāi)發(fā)商O(píng)penAI決定量產(chǎn)AMD的下一代AI加速器,該加速器被認(rèn)為是NVIDIA的唯一競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。下一代AI芯片的核心部件是HBM4(第6代高帶寬內(nèi)存)。三星電子(005930)有觀察稱(chēng),英偉達(dá)將作為主要供
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SK Keyfoundry推出先進(jìn)多層厚金屬間電介質(zhì)電容工藝

  • Source: Getty image /Sefa ozel韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的多層厚金屬間電介質(zhì)(IMD)工藝,該工藝具有高擊穿電壓特性,這一特性不僅有助于提升半導(dǎo)體器件的安全性、可靠性與使用壽命,同時(shí)還能增強(qiáng)抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達(dá)三層金屬間電介質(zhì),在金屬—絕緣體—金屬結(jié)構(gòu)中,總厚度最高可達(dá)到18微米(μm)。這可提供高達(dá)19,000伏特的高擊穿電壓特性,并有效提升電容性能。預(yù)計(jì)該技術(shù)將用于制造數(shù)字隔離專(zhuān)用電容器,以及用于抑制電子電路中電容耦
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消息稱(chēng) SK 海力士將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) 12 層 HBM3E 芯片

  • 3 月 18 日消息,據(jù)臺(tái)媒 digitimes 今日消息,SK 海力士預(yù)計(jì)將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E,預(yù)期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開(kāi)始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn)了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運(yùn)行速度可達(dá) 9.6Gbps,在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語(yǔ)言模型時(shí)每秒可讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數(shù)的水平。去年 11 月,SK
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全球電動(dòng)汽車(chē)需求下滑,韓國(guó)電池三巨頭產(chǎn)能利用率暴跌

  • 1 月 2 日消息,韓媒 Business Korea 今天(1 月 2 日)發(fā)布博文,受全球電動(dòng)汽車(chē)需求下滑影響,LG Energy Solution、三星 SDI 和 SK On 韓國(guó)三大電池企業(yè)的工廠利用率大幅下降,企業(yè)紛紛采取應(yīng)對(duì)策略以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)。LG Energy Solution 位于美國(guó)亞利桑那州的工廠透視圖,圖源:LG Energy Solution據(jù) 12 月 30 日行業(yè)報(bào)告,LG Energy Solution 今年第三季度平均工廠利用率為 60%,較去年同期的 73% 顯著下
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消息稱(chēng)三星和 SK 海力士達(dá)成合作,聯(lián)手推動(dòng) LPDDR6-PIM 內(nèi)存

  • 12 月 3 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 昨日?qǐng)?bào)道,三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專(zhuān)門(mén)用于人工智能(AI)的低功耗存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)化。報(bào)道提到,兩家公司已經(jīng)確定,有必要建立聯(lián)盟,以使下一代存儲(chǔ)器符合這一趨勢(shì)。報(bào)道還稱(chēng),三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段,正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)(JEDEC)注冊(cè)標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個(gè)需要標(biāo)準(zhǔn)化項(xiàng)目的適當(dāng)規(guī)格?!?圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲(chǔ)和計(jì)
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消息稱(chēng) SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品

  • 10 月 17 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道,SK 海力士正縮減 CIS (注:即 CMOS 圖像傳感器)等次要業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資,同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓,不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額,SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位,遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí),SK 海力
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SK電信將在首爾開(kāi)設(shè)AI數(shù)據(jù)中心 全部配套英偉達(dá)GPU

  • 韓國(guó)最大電信運(yùn)營(yíng)商SK電信周三(8月21日)稱(chēng),將與美國(guó)GPU云服務(wù)公司Lambda合作,于今年12月在首爾江南區(qū)開(kāi)設(shè)一家人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心,該設(shè)施將以英偉達(dá)先進(jìn)的圖形處理器(GPU)為基礎(chǔ)。目前,雙方已簽署了人工智能云服務(wù)合作協(xié)議,將通過(guò)戰(zhàn)略合作擴(kuò)大GPU即服務(wù)(GPUaaS)業(yè)務(wù),并奠定Lambda在韓國(guó)的立足點(diǎn)。Lambda成立于2012年,為尋求訓(xùn)練人工智能大模型的公司提供云、本地和咨詢(xún)服務(wù)。目前Lambda的平臺(tái)可以訪問(wèn)英偉達(dá)公司的大型GPU集群。所謂的GPUaaS服務(wù),就是幫助企業(yè)客戶(hù)通
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SK 海力士加大環(huán)保投入,在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮

  • 7 月 25 日消息,SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣(F2)。SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報(bào)告顯示,該公司原先將三氟化氮(NF3)用于芯片生產(chǎn)過(guò)程中的清洗工藝,用于去除沉積過(guò)程中腔室內(nèi)部形成的殘留物,其全球變暖潛能值(GWP)顯著高于氟氣(NF3的 GWP 為 17200,而 F2為 0)。除此之外,SK 海力士還進(jìn)一步增加了氫氟酸(HF)的使用量(可用于低溫蝕刻設(shè)備),該氣體的 GWP 為 1 甚至更低,遠(yuǎn)低于過(guò)去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳?xì)怏w。
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【電動(dòng)車(chē)和能效亮點(diǎn)】Sakuu和SK On合作推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)的電池制造

  • Source: Zhihao/via Getty Images總部位于美國(guó)加州硅谷的Sakuu是一家專(zhuān)注于為電池制造行業(yè)提供商業(yè)化設(shè)備和技術(shù)的公司,該公司日前已與韓國(guó)電動(dòng)汽車(chē)電池供應(yīng)商SK On簽訂了一份聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議。此次合作彰顯了兩家公司通過(guò)推動(dòng)電池制造創(chuàng)新以解決當(dāng)前行業(yè)挑戰(zhàn)的堅(jiān)定承諾,并為下一代解決方案的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。作為此次合作的一部分,兩家企業(yè)將攜手推進(jìn)Sakuu干法制造工藝平臺(tái)Kavian的工業(yè)化進(jìn)程。Sakuu干法制造工藝平臺(tái)Kavian有助于電池供應(yīng)商轉(zhuǎn)變其業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)模式。該公司表示,使
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

  • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》17日訊,SK海力士計(jì)劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合,目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺(tái)下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗(yàn)工廠,用于測(cè)試混合鍵合工藝?;旌湘I合取消了銅焊盤(pán)之間使用的凸塊和銅柱,并直接鍵合焊盤(pán),這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊,并增加帶寬。
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英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟:HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

  • 7 月 13 日消息,韓媒 businesskorea 報(bào)道,英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”,為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)(其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展),包括臺(tái)積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù),促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會(huì)議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM,特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存,它將開(kāi)啟市場(chǎng)的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報(bào)道,SK 海力士總裁 Kim Joo-
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消息稱(chēng)三星電子、SK 海力士分別考慮申請(qǐng) 5/3 萬(wàn)億韓元低息貸款,擴(kuò)張運(yùn)營(yíng)

  • IT之家 7 月 1 日消息,據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行申請(qǐng) 5 萬(wàn)億和 3 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣)低息貸款,用于業(yè)務(wù)擴(kuò)張。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行由韓國(guó)政府全資控股,是韓國(guó)唯一的政策性金融機(jī)構(gòu),主要為韓國(guó)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供長(zhǎng)期資金。韓國(guó)企劃和財(cái)政部此前公布了“半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)綜合支持計(jì)劃”。作為該計(jì)劃的一部分,韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行將向半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)放 17 萬(wàn)億韓元低息貸款,其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓?zhuān)行?/li>
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